Nastra de grafit de alta pureza-

Nastra de grafit de alta pureza-
Detali:
La nastra de grafit de volta pureza, fatta de grafit pura al 99%, cumbina una flessibilità ecellent, una volta condutività termica e una tenuta superiur. L’è tant duperà per la sigilladura e la gestiun termica en ambient a volta temperadüra e volt vœui cuma forn a vœui, apparecchiatur a semicondutur e cellul a carburant.
MOQ: 50 kg
Material: grafit natüral
studio
Descrizion
studio

1. Prodot principal

La nastra de grafit de volta pureza l’è una bobina de grafit flessibil fatta de grafit espandibil de volta pureza al 99%, libera de legant e impurità corrusif. Mantegn l’eccellent condutività termich, la condutività eletrich e la volta resistenza a la temperadüra de la grafit a furma de blocch de volta pureza, anca se g’ha una flessibilità eceziunal, una resistenza a cumpresiun e una facilità de lavuraziun. Pœu culmà i büs in de la superfiss irregular, furmand interfacc de gestiun termich eficient e guarniziun hermetich afidabil.

 

2. Specifich tecnich

Elementi di parametri

Specifiche/Gamme tipiche

Norm de prœuf

Composiziun chimich

   

Contenuto de carbonio (C)

Magiur o istess al 99,0%~99,9%

ASTM D5603

Contenut de cenere

Menu o istess a 1000 ppm~100 ppm

-

Contenut de solfar (S)

Menu o istess a 500 ppm

-

Proprietà fisich

   

Spessore

0,1 mm ~ 3,0 mm (personalizzabil)

ASTM F152

Densitaa

1,0 ~ 1,3 g/cm3 (regulabil)

ASTM F1315

Proprietà termich

   

Temperadüra de servizi a luungh termin (en aria)

-200 grad ~450 grad (en ambient ossidant)

-

Temperadüra de servizi a luungh termin (inert/vœui)

Fin a 3000 grad

-

Condutività termich en plan- (direziun X-Y)

80~150 W/(m·K)

ASTM E1461

Proprietà mecanich

   

Resistenza a la trazion

Magiur o istess a 4,0 MPa

ASTM D828

Raport de cumpresiun

15%~40%

ASTM F36

Tass de rimbalz

Magiur o istess al 15%

ASTM F36

3.Caratteristich e vantagg principal

Alta condutività termica e stabilità termica

G’ha un’eccellent condutività termich luungh la direziun del plan (fin a 150 W/(m·K) o püsee), cunsentend una difusiun de calor rapida e uniform per prevegnir el surriscaldament local.

Pœu funziunar en mod stabil per tant temp a -200 grad a 3000 grad en un ambient a gas inert o a vœui (ambient minga ossidant), cunt un cueficient de espansiun termich bas e una ecellent stabilità dimensiunal.

Ecellent flessibilità e cumpens

Trama morbida, facil da piegà e avvolger, e la pœu adatass perfettament a vari cürvi cumpless e a superfis minga uniform.

G’ha una bona resistenza a la cumpresiun, che pœu cumpensà i büs causà del espansiun termich, de la contraziun o di toleranz de lavuraziun sü la superfiss de cuntat, mantegnind una presiun de cuntat stabil a luungh termin.

Alta pureza e inerzia chimica

Un contenut de ceneri estremament bas (pœu vèss inferiur a 100ppm), liber de ion corrusif cuma clor e solfar, e causarà no corrusiun o inquinament a compunent eletronich sensibil (par esempi, apparecchiatur a semicondutur) o camber metallich.

Facil de lavurar e duperà

Pœu vèss facilment tajà e timbrad cun man o strüment se necessari.

De solet l’è dotà de suport adesif o pœu vèss duperà cun adesif a volta temperadüra, facilitand l’installaziun e mejiorand l’eficienza de la produziun.

Eccellente ermetica

Sotta una forza de cumpresiun sufisent, pœu furmar una barriera de sigillament eficas per prevegnir perdite de gas e liquid.

High-Purity Graphite Tape factory
 
High-Purity Graphite Tape supplier
 

4. Aree tipich de aplicaziun

Forn a vœui e forn a volta-temperadüra: La nastra de grafit de volta pureza l’è duperada per la sigilladura dinamich o statich a volta temperadüra ai port del forn, ai fenester de osservaziun, ai pres di eletrodi, ecc.

Apparecchiatur de produziun di semicondutur: Duperà cuma materiai de sigillament e isolament de la flanga per CVD, PECVD, forn a difusiun e olter apparecchiatur.

Cellule a carburant: Duperà cuma guarniziun de sigillament a gas intra plach bipolar de grafit o plach bipolar de metal.

Dissipaziun del calor eletronich e eletrich: Incolà intra dispusitif de alimentaziun (par esempi, IGBT, CPU) e dissipatur de calor cuma un pad termich eficient.

Cressita fotovoltaica e cristallina: Duperà per la sigilladura e l’isolament del camp termich en forn de disegn de silicio monocristallin e en forn de lingott de silicio policristallin.

Ricerca aerospazial e scientifich: Aplicà per la sigilladura e la condutività termica en vari ambient estrem cuma vœui, volta pressiun e volta temperadüra.

or: Nastro de grafite de alta-purezza, Cina produttur de nastro de grafite de alta-pureza

studio